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CY7C1021BN-12VXCT

CY7C1021BN-12VXCT

Solo per riferimento

Numero parte CY7C1021BN-12VXCT
PNEDA Part # CY7C1021BN-12VXCT
Descrizione IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ
Produttore Cypress Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.970
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CY7C1021BN-12VXCT Risorse

Brand Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCY7C1021BN-12VXCT
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
CY7C1021BN-12VXCT, CY7C1021BN-12VXCT Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 474,42 KB)
PDFCY7C10211BN-10ZXCT Datasheet Copertura
CY7C10211BN-10ZXCT Datasheet Pagina 2 CY7C10211BN-10ZXCT Datasheet Pagina 3 CY7C10211BN-10ZXCT Datasheet Pagina 4 CY7C10211BN-10ZXCT Datasheet Pagina 5 CY7C10211BN-10ZXCT Datasheet Pagina 6 CY7C10211BN-10ZXCT Datasheet Pagina 7 CY7C10211BN-10ZXCT Datasheet Pagina 8 CY7C10211BN-10ZXCT Datasheet Pagina 9 CY7C10211BN-10ZXCT Datasheet Pagina 10

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CY7C1021BN-12VXCT Specifiche

ProduttoreCypress Semiconductor Corp
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria1Mb (64K x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina12ns
Tempo di accesso12ns
Tensione - Alimentazione4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore44-SOJ

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Produttore

Microchip Technology

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Dimensione della memoria

16Kb (2K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

10MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PDIP

W9725G8KB25I

Winbond Electronics

Produttore

Winbond Electronics

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR2

Dimensione della memoria

256Mb (32M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

400ps

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

60-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

60-WBGA (8x12.5)

M93C76-WMN6T

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

8Kb (1K x 8, 512 x 16)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

2MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

MT29F1G01AAADDH4-ITX:D TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

1Gb (1G x 1)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Tipo di memoria

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Formato memoria

SRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

576Kb (16K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5ns

Tensione - Alimentazione

3.15V ~ 3.45V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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