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CY7C1006D-10VXIT

CY7C1006D-10VXIT

Solo per riferimento

Numero parte CY7C1006D-10VXIT
PNEDA Part # CY7C1006D-10VXIT
Descrizione IC SRAM 1M PARALLEL 28SOJ
Produttore Cypress Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.590
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 28 - dic 3 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CY7C1006D-10VXIT Risorse

Brand Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCY7C1006D-10VXIT
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
CY7C1006D-10VXIT, CY7C1006D-10VXIT Datasheet (Totale pagine: 16, Dimensioni: 895,91 KB)
PDFCY7C106D-10VXIT Datasheet Copertura
CY7C106D-10VXIT Datasheet Pagina 2 CY7C106D-10VXIT Datasheet Pagina 3 CY7C106D-10VXIT Datasheet Pagina 4 CY7C106D-10VXIT Datasheet Pagina 5 CY7C106D-10VXIT Datasheet Pagina 6 CY7C106D-10VXIT Datasheet Pagina 7 CY7C106D-10VXIT Datasheet Pagina 8 CY7C106D-10VXIT Datasheet Pagina 9 CY7C106D-10VXIT Datasheet Pagina 10 CY7C106D-10VXIT Datasheet Pagina 11

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CY7C1006D-10VXIT Specifiche

ProduttoreCypress Semiconductor Corp
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria1Mb (256K x 4)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina10ns
Tempo di accesso10ns
Tensione - Alimentazione4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore28-SOJ

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Alliance Memory, Inc.

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Parallel

Frequenza di clock

800MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

1.425V ~ 1.575V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 95°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

Fremont Micro Devices Ltd

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

IDT71V3557SA85BQGI8

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Produttore

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Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

Dimensione della memoria

4.5Mb (128K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

8.5ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

256Kb (16K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

40ns

Tempo di accesso

40ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

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Tempo di accesso

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