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CY62256NL-70SNXI

CY62256NL-70SNXI

Solo per riferimento

Numero parte CY62256NL-70SNXI
PNEDA Part # CY62256NL-70SNXI
Descrizione IC SRAM 256K PARALLEL 28SOIC
Produttore Cypress Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 17
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata feb 19 - feb 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CY62256NL-70SNXI Risorse

Brand Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCY62256NL-70SNXI
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
CY62256NL-70SNXI, CY62256NL-70SNXI Datasheet (Totale pagine: 14, Dimensioni: 574,34 KB)
PDFCY62256NLL-55ZRXET Datasheet Copertura
CY62256NLL-55ZRXET Datasheet Pagina 2 CY62256NLL-55ZRXET Datasheet Pagina 3 CY62256NLL-55ZRXET Datasheet Pagina 4 CY62256NLL-55ZRXET Datasheet Pagina 5 CY62256NLL-55ZRXET Datasheet Pagina 6 CY62256NLL-55ZRXET Datasheet Pagina 7 CY62256NLL-55ZRXET Datasheet Pagina 8 CY62256NLL-55ZRXET Datasheet Pagina 9 CY62256NLL-55ZRXET Datasheet Pagina 10 CY62256NLL-55ZRXET Datasheet Pagina 11

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CY62256NL-70SNXI Specifiche

ProduttoreCypress Semiconductor Corp
SerieMoBL®
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria256Kb (32K x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina70ns
Tempo di accesso70ns
Tensione - Alimentazione4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore28-SOIC

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Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR3

Dimensione della memoria

8Gb (256M x 32)

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

933MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.2V

Temperatura di esercizio

-30°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

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Produttore

Micron Technology Inc.

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Tipo di memoria

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Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

8Gb (128M x 64)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

400MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

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Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

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Temperatura di esercizio

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Pacchetto / Custodia

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

S25FL132K0XMFV041

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

FL1-K

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

32Mb (4M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O

Frequenza di clock

108MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

3ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

2Mb (256K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ns

Tempo di accesso

10ns

Tensione - Alimentazione

2.4V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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