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CY62157DV30L-55BVXE

CY62157DV30L-55BVXE

Solo per riferimento

Numero parte CY62157DV30L-55BVXE
PNEDA Part # CY62157DV30L-55BVXE
Descrizione IC SRAM 8M PARALLEL 48VFBGA
Produttore Cypress Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.020
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 2 - apr 7 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CY62157DV30L-55BVXE Risorse

Brand Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCY62157DV30L-55BVXE
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
CY62157DV30L-55BVXE, CY62157DV30L-55BVXE Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 599,07 KB)
PDFCY62157DV30LL-55ZSXI Datasheet Copertura
CY62157DV30LL-55ZSXI Datasheet Pagina 2 CY62157DV30LL-55ZSXI Datasheet Pagina 3 CY62157DV30LL-55ZSXI Datasheet Pagina 4 CY62157DV30LL-55ZSXI Datasheet Pagina 5 CY62157DV30LL-55ZSXI Datasheet Pagina 6 CY62157DV30LL-55ZSXI Datasheet Pagina 7 CY62157DV30LL-55ZSXI Datasheet Pagina 8 CY62157DV30LL-55ZSXI Datasheet Pagina 9 CY62157DV30LL-55ZSXI Datasheet Pagina 10 CY62157DV30LL-55ZSXI Datasheet Pagina 11

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CY62157DV30L-55BVXE Specifiche

ProduttoreCypress Semiconductor Corp
SerieMoBL®
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria8Mb (512K x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina55ns
Tempo di accesso55ns
Tensione - Alimentazione2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 125°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia48-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore48-VFBGA (6x8)

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Dimensione della memoria

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Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

900ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

Die

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Die

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Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

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Tensione - Alimentazione

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Temperatura di esercizio

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Produttore

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Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

1Kb (128 x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

400ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

4.5Mb (128K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

183MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.5ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Formato memoria

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Interfaccia di memoria

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Frequenza di clock

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Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

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