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CY62137FV30LL-45BVI

CY62137FV30LL-45BVI

Solo per riferimento

Numero parte CY62137FV30LL-45BVI
PNEDA Part # CY62137FV30LL-45BVI
Descrizione IC SRAM 2M PARALLEL 48VFBGA
Produttore Cypress Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.398
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 10 - nov 15 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CY62137FV30LL-45BVI Risorse

Brand Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCY62137FV30LL-45BVI
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
CY62137FV30LL-45BVI, CY62137FV30LL-45BVI Datasheet (Totale pagine: 16, Dimensioni: 516,66 KB)
PDFCY62137FV30LL-45BVIT Datasheet Copertura
CY62137FV30LL-45BVIT Datasheet Pagina 2 CY62137FV30LL-45BVIT Datasheet Pagina 3 CY62137FV30LL-45BVIT Datasheet Pagina 4 CY62137FV30LL-45BVIT Datasheet Pagina 5 CY62137FV30LL-45BVIT Datasheet Pagina 6 CY62137FV30LL-45BVIT Datasheet Pagina 7 CY62137FV30LL-45BVIT Datasheet Pagina 8 CY62137FV30LL-45BVIT Datasheet Pagina 9 CY62137FV30LL-45BVIT Datasheet Pagina 10 CY62137FV30LL-45BVIT Datasheet Pagina 11

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CY62137FV30LL-45BVI Specifiche

ProduttoreCypress Semiconductor Corp
SerieMoBL®
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria2Mb (128K x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina45ns
Tempo di accesso45ns
Tensione - Alimentazione2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia48-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore48-VFBGA (6x8)

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Micron Technology Inc.

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Formato memoria

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Dimensione della memoria

12Gb (384M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

533MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.14V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Synchronous

Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

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Tensione - Alimentazione

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Produttore

Microchip Technology

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

16Kb (2K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

900ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

MR256A08BSO35

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Produttore

Everspin Technologies Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

RAM

Tecnologia

MRAM (Magnetoresistive RAM)

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

35ns

Tempo di accesso

35ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

32-SOIC

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Winbond Electronics

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Tipo di memoria

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Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR3

Dimensione della memoria

2Gb (128M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

667MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

1.425V ~ 1.575V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

96-VFBGA

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