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CY22E016L-SZ35XI

CY22E016L-SZ35XI

Solo per riferimento

Numero parte CY22E016L-SZ35XI
PNEDA Part # CY22E016L-SZ35XI
Descrizione IC NVSRAM 16K PARALLEL 28SOIC
Produttore Cypress Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.824
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 10 - nov 15 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CY22E016L-SZ35XI Risorse

Brand Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCY22E016L-SZ35XI
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
CY22E016L-SZ35XI, CY22E016L-SZ35XI Datasheet (Totale pagine: 14, Dimensioni: 2.138,34 KB)
PDFCY22E016L-SZ45XI Datasheet Copertura
CY22E016L-SZ45XI Datasheet Pagina 2 CY22E016L-SZ45XI Datasheet Pagina 3 CY22E016L-SZ45XI Datasheet Pagina 4 CY22E016L-SZ45XI Datasheet Pagina 5 CY22E016L-SZ45XI Datasheet Pagina 6 CY22E016L-SZ45XI Datasheet Pagina 7 CY22E016L-SZ45XI Datasheet Pagina 8 CY22E016L-SZ45XI Datasheet Pagina 9 CY22E016L-SZ45XI Datasheet Pagina 10 CY22E016L-SZ45XI Datasheet Pagina 11

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CY22E016L-SZ35XI Specifiche

ProduttoreCypress Semiconductor Corp
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaNVSRAM
TecnologiaNVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Dimensione della memoria16Kb (2K x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina35ns
Tempo di accesso35ns
Tensione - Alimentazione4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore28-SOIC

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Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

Xccela Bus

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

24-TBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

24-T-PBGA (6x8)

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Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, QDR II

Dimensione della memoria

18Mb (512K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

250MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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71V65903S85BG8

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Produttore

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Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

Dimensione della memoria

9Mb (512K x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

8.5ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

119-PBGA (14x22)

CY7C1061G-10BVJXI

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

16Mb (1M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ns

Tempo di accesso

10ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

48-VFBGA (6x8)

AT49F001AN-55TU

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Produttore

Microchip Technology

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

1Mb (128K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

50µs

Tempo di accesso

55ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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