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CY14B104L-ZS20XI

CY14B104L-ZS20XI

Solo per riferimento

Numero parte CY14B104L-ZS20XI
PNEDA Part # CY14B104L-ZS20XI
Descrizione IC NVSRAM 4M PARALLEL 44TSOP II
Produttore Cypress Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.068
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 24 - apr 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CY14B104L-ZS20XI Risorse

Brand Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCY14B104L-ZS20XI
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
CY14B104L-ZS20XI, CY14B104L-ZS20XI Datasheet (Totale pagine: 25, Dimensioni: 791,82 KB)
PDFCY14B104N-ZS45XIT Datasheet Copertura
CY14B104N-ZS45XIT Datasheet Pagina 2 CY14B104N-ZS45XIT Datasheet Pagina 3 CY14B104N-ZS45XIT Datasheet Pagina 4 CY14B104N-ZS45XIT Datasheet Pagina 5 CY14B104N-ZS45XIT Datasheet Pagina 6 CY14B104N-ZS45XIT Datasheet Pagina 7 CY14B104N-ZS45XIT Datasheet Pagina 8 CY14B104N-ZS45XIT Datasheet Pagina 9 CY14B104N-ZS45XIT Datasheet Pagina 10 CY14B104N-ZS45XIT Datasheet Pagina 11

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CY14B104L-ZS20XI Specifiche

ProduttoreCypress Semiconductor Corp
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaNVSRAM
TecnologiaNVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Dimensione della memoria4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina20ns
Tempo di accesso20ns
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore44-TSOP II

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Dimensione della memoria

4Gb (256M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

800MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

1.283V ~ 1.45V

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

96-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

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IDT71V25761SA200BQI8

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

4.5Mb (128K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-TBGA

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AT25256-10PC-2.7

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

3MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PDIP

AT27LV040A-90VC

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EPROM

Tecnologia

EPROM - OTP

Dimensione della memoria

4Mb (512K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

90ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-VSOP

MT46V16M16FG-75:F

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR

Dimensione della memoria

256Mb (16M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

750ps

Tensione - Alimentazione

2.3V ~ 2.7V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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