CY14B101PA-SFXI
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| Numero parte | CY14B101PA-SFXI |
| PNEDA Part # | CY14B101PA-SFXI |
| Descrizione | IC NVSRAM 1M SPI 40MHZ 16SOIC |
| Produttore | Cypress Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.982 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 3 - nov 8 (Scegli Spedizione rapida) |
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CY14B101PA-SFXI Risorse
| Brand | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | CY14B101PA-SFXI |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
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CY14B101PA-SFXI Specifiche
| Produttore | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | NVSRAM |
| Tecnologia | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| Dimensione della memoria | 1Mb (128K x 8) |
| Interfaccia di memoria | SPI |
| Frequenza di clock | 40MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | - |
| Tempo di accesso | - |
| Tensione - Alimentazione | 2.7V ~ 3.6V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 16-SOIC |
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Produttore Micron Technology Inc. Serie * Tipo di memoria - Formato memoria - Tecnologia - Dimensione della memoria - Interfaccia di memoria - Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
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Produttore Microchip Technology Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria EEPROM Tecnologia EEPROM Dimensione della memoria 128Kb (16K x 8) Interfaccia di memoria SPI Frequenza di clock 10MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 5ms Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 1.8V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
Produttore Alliance Memory, Inc. Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria 4Mb (256K x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 10ns Tempo di accesso 10ns Tensione - Alimentazione 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 44-SOJ |
