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CY14B101L-SZ35XCT

CY14B101L-SZ35XCT

Solo per riferimento

Numero parte CY14B101L-SZ35XCT
PNEDA Part # CY14B101L-SZ35XCT
Descrizione IC NVSRAM 1M PARALLEL 32SOIC
Produttore Cypress Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.886
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CY14B101L-SZ35XCT Risorse

Brand Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCY14B101L-SZ35XCT
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
CY14B101L-SZ35XCT, CY14B101L-SZ35XCT Datasheet (Totale pagine: 20, Dimensioni: 954,91 KB)
PDFCY14B101L-SZ45XIT Datasheet Copertura
CY14B101L-SZ45XIT Datasheet Pagina 2 CY14B101L-SZ45XIT Datasheet Pagina 3 CY14B101L-SZ45XIT Datasheet Pagina 4 CY14B101L-SZ45XIT Datasheet Pagina 5 CY14B101L-SZ45XIT Datasheet Pagina 6 CY14B101L-SZ45XIT Datasheet Pagina 7 CY14B101L-SZ45XIT Datasheet Pagina 8 CY14B101L-SZ45XIT Datasheet Pagina 9 CY14B101L-SZ45XIT Datasheet Pagina 10 CY14B101L-SZ45XIT Datasheet Pagina 11

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CY14B101L-SZ35XCT Specifiche

ProduttoreCypress Semiconductor Corp
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaNVSRAM
TecnologiaNVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Dimensione della memoria1Mb (128K x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina35ns
Tempo di accesso35ns
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia32-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore32-SOIC

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256Mb (16M x 16)

Interfaccia di memoria

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Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

256Mb (8M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

143MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

32Kb (4K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

55ns

Tempo di accesso

55ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

52-PLCC (19.13x19.13)

MT53D4DACR-DC

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Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR4

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

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Formato memoria

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Dimensione della memoria

8Kb (256 x 8 x 4)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

900ns

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

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