CTLDM8002A-M621 BK
Solo per riferimento
| Numero parte | CTLDM8002A-M621 BK |
| PNEDA Part # | CTLDM8002A-M621-BK |
| Descrizione | MOSFET N-CH 50V DFN6 |
| Produttore | Central Semiconductor Corp |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.484 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mar 16 - mar 21 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
CTLDM8002A-M621 BK Risorse
| Brand | Central Semiconductor Corp |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | CTLDM8002A-M621 BK |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
CTLDM8002A-M621 BK, CTLDM8002A-M621 BK Datasheet
(Totale pagine: 5, Dimensioni: 1.167,63 KB)
  
|
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- CTLDM8002A-M621 BK Datasheet
- where to find CTLDM8002A-M621 BK
- Central Semiconductor Corp
- Central Semiconductor Corp CTLDM8002A-M621 BK
- CTLDM8002A-M621 BK PDF Datasheet
- CTLDM8002A-M621 BK Stock
- CTLDM8002A-M621 BK Pinout
- Datasheet CTLDM8002A-M621 BK
- CTLDM8002A-M621 BK Supplier
- Central Semiconductor Corp Distributor
- CTLDM8002A-M621 BK Price
- CTLDM8002A-M621 BK Distributor
CTLDM8002A-M621 BK Specifiche
| Produttore | Central Semiconductor Corp |
| Serie | - |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 50V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 280mA (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5Ohm @ 500mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.72nC @ 4.5V |
| Vgs (massimo) | 20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 70pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 900mW (Ta) |
| Temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TLM621 |
| Pacchetto / Custodia | 6-PowerVFDFN |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore Vishay Siliconix Serie - Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 3.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 700pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 74W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB Pacchetto / Custodia TO-220-3 |
Produttore Nexperia USA Inc. Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 250V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 375mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 5Ohm @ 300mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 120pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 1.5W (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore SC-73 Pacchetto / Custodia TO-261-4, TO-261AA |
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 44.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 12.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2150pF @ 15V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 5.2W (Ta), 25W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 10-PolarPAK® (U) Pacchetto / Custodia 10-PolarPAK® (U) |
Produttore Infineon Technologies Serie CoolMOS™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.4A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 950mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 130µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 280pF @ 100V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 37W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO220-3 Pacchetto / Custodia TO-220-3 |
Produttore IXYS Serie - Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 85V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 50A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4200pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore TO-268 Pacchetto / Custodia TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
