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CRS10I40A(TE85L,QM

CRS10I40A(TE85L,QM

Solo per riferimento

Numero parte CRS10I40A(TE85L,QM
PNEDA Part # CRS10I40A-TE85L-QM
Descrizione DIODE GEN PURP 40V 1A S-FLAT
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.340
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata feb 18 - feb 23 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CRS10I40A(TE85L Risorse

Brand Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCRS10I40A(TE85L,QM
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli

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CRS10I40A(TE85L Specifiche

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
Serie-
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)40V
Corrente - Media Rettificata (Io)1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If490mV @ 700mA
VelocitàStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr60µA @ 40V
Capacità @ Vr, F35pF @ 10V, 1MHz
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOD-123F
Pacchetto dispositivo fornitoreS-FLAT (1.6x3.5)
Temperatura di esercizio - Giunzione150°C (Max)

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

500mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 100mA

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

25nA @ 175V

Capacità @ Vr, F

6pF @ 0V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-204AH, DO-35, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-35

Temperatura di esercizio - Giunzione

175°C (Max)

D1481N60TXPSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

6000V

Corrente - Media Rettificata (Io)

2200A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.8V @ 2500A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

50mA @ 6000V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

DO-200AC, K-PUK

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 160°C

MBRF16100 C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

16A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

850mV @ 16A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

300µA @ 100V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-2 Full Pack

Pacchetto dispositivo fornitore

ITO-220AC

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

RFN5BGE3STL

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

350V

Corrente - Media Rettificata (Io)

5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.5V @ 5A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

30ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 350V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-252GE

Temperatura di esercizio - Giunzione

150°C (Max)

SBR2U30P1-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

SBR®

Tipo di diodo

Super Barrier

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

30V

Corrente - Media Rettificata (Io)

2A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

400mV @ 2A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

400µA @ 30V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

POWERDI®123

Pacchetto dispositivo fornitore

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Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

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