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CP647-MJ11013-WS

CP647-MJ11013-WS

Solo per riferimento

Numero parte CP647-MJ11013-WS
PNEDA Part # CP647-MJ11013-WS
Descrizione TRANS PNP DARL 30A 90V DIE
Produttore Central Semiconductor Corp
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.084
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 25 - nov 30 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CP647-MJ11013-WS Risorse

Brand Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCP647-MJ11013-WS
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo

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CP647-MJ11013-WS Specifiche

ProduttoreCentral Semiconductor Corp
Serie-
Tipo di transistorPNP - Darlington
Corrente - Collettore (Ic) (Max)30A
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)90V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic4V @ 300mA, 30A
Corrente - Taglio collettore (Max)1mA
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce200 @ 30A, 5V
Potenza - Max-
Frequenza - Transizione-
Temperatura di esercizio-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaDie
Pacchetto dispositivo fornitoreDie

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PMBT4401,235

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

600mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

40V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

750mV @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

50nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 1V

Potenza - Max

250mW

Frequenza - Transizione

250MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-236AB

2SA1182-GR,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

*

Tipo di transistor

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Potenza - Max

-

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

PHPT61002NYCX

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

2A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

100V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

75mV @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 500mA, 1.5V

Potenza - Max

1.25W

Frequenza - Transizione

140MHz

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-100, SOT-669

Pacchetto dispositivo fornitore

LFPAK56, Power-SO8

CP191V-2N2222A-CT20

Central Semiconductor Corp

Produttore

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

800mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

40V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

10nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

Potenza - Max

-

Frequenza - Transizione

300MHz

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

Die

Pacchetto dispositivo fornitore

Die

BC640ZL1

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

80V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 150mA, 2V

Potenza - Max

625mW

Frequenza - Transizione

150MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

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