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CMLDM7003TG TR

CMLDM7003TG TR

Solo per riferimento

Numero parte CMLDM7003TG TR
PNEDA Part # CMLDM7003TG-TR
Descrizione MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563
Produttore Central Semiconductor Corp
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 28.518
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 9 - apr 14 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CMLDM7003TG TR Risorse

Brand Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCMLDM7003TG TR
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
CMLDM7003TG TR, CMLDM7003TG TR Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 771,92 KB)
PDFCMLDM7003T TR Datasheet Copertura
CMLDM7003T TR Datasheet Pagina 2 CMLDM7003T TR Datasheet Pagina 3 CMLDM7003T TR Datasheet Pagina 4

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CMLDM7003TG TR Specifiche

ProduttoreCentral Semiconductor Corp
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)50V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C280mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.76nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds50pF @ 25V
Potenza - Max350mW
Temperatura di esercizio-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-563

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

CoolMOS™

Tipo FET

3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper)

Funzione FET

Super Junction

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

36A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

83mOhm @ 24.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 3mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

250nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7200pF @ 25V

Potenza - Max

250W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP1

Pacchetto dispositivo fornitore

SP1

DMP2040USD-13

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.5A (Ta), 12A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

33mOhm @ 8.9A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

19nC @ 8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

834pF @ 10V

Potenza - Max

1.1W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

NTMD6N02R2

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.92A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1100pF @ 16V

Potenza - Max

730mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

NDS8852H

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.3A, 3.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

300pF @ 15V

Potenza - Max

1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

38mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21.4nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

906pF @ 10V

Potenza - Max

900mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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