CDBJSC10650-G
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| Numero parte | CDBJSC10650-G |
| PNEDA Part # | CDBJSC10650-G |
| Descrizione | DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO |
| Produttore | Comchip Technology |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 15.504 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | dic 1 - dic 6 (Scegli Spedizione rapida) |
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CDBJSC10650-G Risorse
| Brand | Comchip Technology |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | CDBJSC10650-G |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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CDBJSC10650-G Specifiche
| Produttore | Comchip Technology |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Silicon Carbide Schottky |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 650V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 10A (DC) |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 10A |
| Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 650V |
| Capacità @ Vr, F | 710pF @ 0V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-2 Full Pack |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220F |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie Automotive, AEC-Q101, Superectifier® Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 50V Corrente - Media Rettificata (Io) 500mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.25V @ 500mA Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 50V Capacità @ Vr, F 7pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-213AA (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore DO-213AA (GL34) Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 175°C |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Standard, Reverse Polarity Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 100V Corrente - Media Rettificata (Io) 50A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If - Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr - Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia B-47 Pacchetto dispositivo fornitore B-47 Temperatura di esercizio - Giunzione - |
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 600V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 1A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 75ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 600V Capacità @ Vr, F 15pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-219AB Pacchetto dispositivo fornitore Sub SMA Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Powerex Inc. Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 4200V Corrente - Media Rettificata (Io) 2000A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.45V @ 3000A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 25µs Corrente - Perdita inversa @ Vr 200mA @ 4200V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia DO-200AD Pacchetto dispositivo fornitore Pow-R-Disc Temperatura di esercizio - Giunzione - |
Produttore Rohm Semiconductor Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 60V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 550mV @ 1A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 50µA @ 60V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia DO-41 Mini, Axial Pacchetto dispositivo fornitore MSR Temperatura di esercizio - Giunzione 150°C (Max) |
