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CD214C-F3400

CD214C-F3400

Solo per riferimento

Numero parte CD214C-F3400
PNEDA Part # CD214C-F3400
Descrizione DIODE GEN PURP 400V 3A SMC
Produttore Bourns
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.520
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 1 - dic 6 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CD214C-F3400 Risorse

Brand Bourns
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCD214C-F3400
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
CD214C-F3400, CD214C-F3400 Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 332,39 KB)
PDFCD214C-F3600 Datasheet Copertura
CD214C-F3600 Datasheet Pagina 2 CD214C-F3600 Datasheet Pagina 3 CD214C-F3600 Datasheet Pagina 4

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CD214C-F3400 Specifiche

ProduttoreBourns Inc.
Serie-
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)400V
Corrente - Media Rettificata (Io)3A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.25V @ 3A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)25ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr10µA @ 400V
Capacità @ Vr, F45pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaDO-214AB, SMC
Pacchetto dispositivo fornitoreSMC (DO-214AB)
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 150°C

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di diodo

-

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

-

Corrente - Media Rettificata (Io)

-

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

Die

Pacchetto dispositivo fornitore

Sawn on foil

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

VSB1045-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

TMBS®

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

45V

Corrente - Media Rettificata (Io)

7A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

560mV @ 10A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 45V

Capacità @ Vr, F

1995pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-201AD, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-201AD

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 150°C

VS-1ENH02HM3/85A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

*

Tipo di diodo

-

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

-

Corrente - Media Rettificata (Io)

-

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

SS10PH10HM3/87A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

eSMP®

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

10A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

880mV @ 10A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 100V

Capacità @ Vr, F

270pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-277, 3-PowerDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-277A (SMPC)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

CDBJSC8650-G

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Produttore

Comchip Technology

Serie

-

Tipo di diodo

Silicon Carbide Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

650V

Corrente - Media Rettificata (Io)

8A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 8A

Velocità

No Recovery Time > 500mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

0ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 650V

Capacità @ Vr, F

560pF @ 0V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-2

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-2

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

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