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CBR1U-D020S

CBR1U-D020S

Solo per riferimento

Numero parte CBR1U-D020S
PNEDA Part # CBR1U-D020S
Descrizione BRIDGE RECT 1P 200V 1A 4SMDIP
Produttore Central Semiconductor Corp
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.676
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 3 - nov 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CBR1U-D020S Risorse

Brand Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCBR1U-D020S
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori a ponte
Datasheet
CBR1U-D020S, CBR1U-D020S Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 549,67 KB)
PDFCBR1U-D020S Datasheet Copertura
CBR1U-D020S Datasheet Pagina 2 CBR1U-D020S Datasheet Pagina 3 CBR1U-D020S Datasheet Pagina 4

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CBR1U-D020S Specifiche

ProduttoreCentral Semiconductor Corp
Serie-
Tipo di diodoSingle Phase
TecnologiaStandard
Tensione - Picco inverso (Max)200V
Corrente - Media Rettificata (Io)1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.05V @ 1A
Corrente - Perdita inversa @ Vr5µA @ 200V
Temperatura di esercizio-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia4-SMD, Gull Wing
Pacchetto dispositivo fornitore4-SMDIP

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Tensione - Picco inverso (Max)

800V

Corrente - Media Rettificata (Io)

2.8A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

950mV @ 3A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 800V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

4-SIP, GSIB-5S

Pacchetto dispositivo fornitore

GSIB-5S

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Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

10A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 10A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 100V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

4-SIP, TS-6P

Pacchetto dispositivo fornitore

TS-6P

DB152G

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Produttore

GeneSiC Semiconductor

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Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1.5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1.5A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 100V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

4-EDIP (0.321", 8.15mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

DB

GBU8M-M3/51

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

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Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

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Tensione - Picco inverso (Max)

1kV

Corrente - Media Rettificata (Io)

8A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 8A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 1000V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

4-SIP, GBU

Pacchetto dispositivo fornitore

GBU

2KBP06ML-6762E4/72

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Tipo di diodo

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600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

2A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 3.14A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 600V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 165°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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