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CAT24C256LI-G

CAT24C256LI-G

Solo per riferimento

Numero parte CAT24C256LI-G
PNEDA Part # CAT24C256LI-G
Descrizione IC EEPROM 256K I2C 1MHZ 8DIP
Produttore ON Semiconductor
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Disponibile 41.717
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CAT24C256LI-G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCAT24C256LI-G
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
CAT24C256LI-G, CAT24C256LI-G Datasheet (Totale pagine: 20, Dimensioni: 370,02 KB)
PDFCAT24C256ZD2IGT2 Datasheet Copertura
CAT24C256ZD2IGT2 Datasheet Pagina 2 CAT24C256ZD2IGT2 Datasheet Pagina 3 CAT24C256ZD2IGT2 Datasheet Pagina 4 CAT24C256ZD2IGT2 Datasheet Pagina 5 CAT24C256ZD2IGT2 Datasheet Pagina 6 CAT24C256ZD2IGT2 Datasheet Pagina 7 CAT24C256ZD2IGT2 Datasheet Pagina 8 CAT24C256ZD2IGT2 Datasheet Pagina 9 CAT24C256ZD2IGT2 Datasheet Pagina 10 CAT24C256ZD2IGT2 Datasheet Pagina 11

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CAT24C256LI-G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM
Dimensione della memoria256Kb (32K x 8)
Interfaccia di memoriaI²C
Frequenza di clock1MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina5ms
Tempo di accesso500ns
Tensione - Alimentazione1.8V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / Custodia8-DIP (0.300", 7.62mm)
Pacchetto dispositivo fornitore8-PDIP

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IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

35ns

Tempo di accesso

35ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

28-CDIP (0.600", 15.24mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

28-CerDip

SST39SF040-45-4C-WHE-T

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

SST39 MPF™

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

4Mb (512K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

20µs

Tempo di accesso

45ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-TSOP

DS1245Y-100

Maxim Integrated

Produttore

Maxim Integrated

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

NVSRAM

Tecnologia

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Dimensione della memoria

1Mb (128K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

100ns

Tempo di accesso

100ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

32-DIP Module (0.600", 15.24mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-EDIP

NV25020DWHFT3G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q100

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

2Kb (256 x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

10MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

4ms

Tempo di accesso

40ns

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

MT47H64M8B6-25E L:D TR

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Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR2

Dimensione della memoria

512Mb (64M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

400MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

400ps

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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