CAS120M12BM2
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| Numero parte | CAS120M12BM2 |
| PNEDA Part # | CAS120M12BM2 |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 1200V 193A MODULE |
| Produttore | Cree/Wolfspeed |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.344 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | set 23 - set 28 (Scegli Spedizione rapida) |
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CAS120M12BM2 Risorse
| Brand | Cree/Wolfspeed |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | CAS120M12BM2 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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CAS120M12BM2 Specifiche
| Produttore | Cree/Wolfspeed |
| Serie | Z-Rec® |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Funzione FET | Silicon Carbide (SiC) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 193A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 120A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.6V @ 6mA (Typ) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 378nC @ 20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6300pF @ 1000V |
| Potenza - Max | 925W |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | Module |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
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Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 8V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 570mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 570mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 450mV @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.3nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max 270mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore SC-70-6 (SOT-363) |
