C3M0120090D
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| Numero parte | C3M0120090D |
| PNEDA Part # | C3M0120090D |
| Descrizione | 900V, 120 MOHM, G3 SIC MOSFET |
| Produttore | Cree/Wolfspeed |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 23.154 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 19 - apr 24 (Scegli Spedizione rapida) |
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C3M0120090D Risorse
| Brand | Cree/Wolfspeed |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | C3M0120090D |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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C3M0120090D Specifiche
| Produttore | Cree/Wolfspeed |
| Serie | C3M™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 900V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 23A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 155mOhm @ 15A, 15V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 3mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17.3nC @ 15V |
| Vgs (massimo) | +18V, -8V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 600V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 97W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247-3 |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-3 |
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