C2M1000170D
Solo per riferimento
| Numero parte | C2M1000170D |
| PNEDA Part # | C2M1000170D |
| Descrizione | MOSFET N-CH 1700V 4.9A TO247 |
| Produttore | Cree/Wolfspeed |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 135.762 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 14 - apr 19 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
C2M1000170D Risorse
| Brand | Cree/Wolfspeed |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | C2M1000170D |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- C2M1000170D Datasheet
- where to find C2M1000170D
- Cree/Wolfspeed
- Cree/Wolfspeed C2M1000170D
- C2M1000170D PDF Datasheet
- C2M1000170D Stock
- C2M1000170D Pinout
- Datasheet C2M1000170D
- C2M1000170D Supplier
- Cree/Wolfspeed Distributor
- C2M1000170D Price
- C2M1000170D Distributor
C2M1000170D Specifiche
| Produttore | Cree/Wolfspeed |
| Serie | Z-FET™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 1700V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.9A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1Ohm @ 2A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 20V |
| Vgs (massimo) | +25V, -10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 191pF @ 1000V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 69W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247-3 |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-3 |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore ON Semiconductor Serie PowerTrench® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 21.5A (Ta), 50A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 8V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.1mOhm @ 21.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 90nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6340pF @ 30V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 3.1W (Ta), 127W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore D-PAK (TO-252) Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Produttore IXYS Serie HiPerFET™, TrenchT2™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 320A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 430nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 26000pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 1000W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-247AD (IXFH) Pacchetto / Custodia TO-247-3 |
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.45Ohm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27.8nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1406pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 40W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore ITO-220AB Pacchetto / Custodia TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 17.6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 15A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 86nC @ 5V Vgs (massimo) ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7300pF @ 16V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 3.5W (Ta) Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Produttore ON Semiconductor Serie PowerTrench® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 14A (Ta), 35A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1590pF @ 15V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 8-PQFN (5x6) Pacchetto / Custodia 8-PowerTDFN |
