BZD17C110P-E3-08
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| Numero parte | BZD17C110P-E3-08 |
| PNEDA Part # | BZD17C110P-E3-08 |
| Descrizione | DIODE ZENER 800MW SMF DO219AB |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.364 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 14 - apr 19 (Scegli Spedizione rapida) |
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BZD17C110P-E3-08 Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | BZD17C110P-E3-08 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Diodi Zener - Singolo |
| Datasheet |
BZD17C110P-E3-08, BZD17C110P-E3-08 Datasheet
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BZD17C110P-E3-08 Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Tensione - Zener (Nom) (Vz) | 110V |
| Tolleranza | - |
| Potenza - Max | 800mW |
| Impedenza (Max) (Zzt) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 82V |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | DO-219AB |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-219AB (SMF) |
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Produttore Microsemi Corporation Serie - Tensione - Zener (Nom) (Vz) 33V Tolleranza ±10% Potenza - Max 5W Impedenza (Max) (Zzt) 10 Ohms Corrente - Perdita inversa @ Vr 500nA @ 23.8V Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.2V @ 1A Temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia T-18, Axial Pacchetto dispositivo fornitore T-18 |
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