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BYW52-TAP

BYW52-TAP

Solo per riferimento

Numero parte BYW52-TAP
PNEDA Part # BYW52-TAP
Descrizione DIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.834
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BYW52-TAP Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBYW52-TAP
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
BYW52-TAP, BYW52-TAP Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 121,88 KB)
PDFBYW55-TR Datasheet Copertura
BYW55-TR Datasheet Pagina 2 BYW55-TR Datasheet Pagina 3 BYW55-TR Datasheet Pagina 4

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BYW52-TAP Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
Tipo di diodoAvalanche
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)200V
Corrente - Media Rettificata (Io)2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1V @ 1A
VelocitàStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)4µs
Corrente - Perdita inversa @ Vr1µA @ 200V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaSOD-57, Axial
Pacchetto dispositivo fornitoreSOD-57
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 175°C

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/585

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.75V @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

60ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

500nA @ 1100V

Capacità @ Vr, F

10pF @ 10V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

A, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

JANTX1N6661US

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/587

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

225V

Corrente - Media Rettificata (Io)

500mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 400mA

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

50nA @ 225V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SQ-MELF, A

Pacchetto dispositivo fornitore

D-5A

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

240NQ035-1

SMC Diode Solutions

Produttore

SMC Diode Solutions

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

35V

Corrente - Media Rettificata (Io)

240A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

610mV @ 240A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

20mA @ 35V

Capacità @ Vr, F

10300pF @ 5V, 1MHz

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

HALF-PAK

Pacchetto dispositivo fornitore

PRM1-1 (Half Pak Module)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

BYV29F-600,127

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Produttore

WeEn Semiconductors

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

9A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.9V @ 8A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

35ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

50µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-2

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AC

Temperatura di esercizio - Giunzione

150°C (Max)

RM 4C

Sanken

Produttore

Sanken

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1000V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

970mV @ 3A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 1000V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

Axial

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 150°C

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