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BYV32E-200,127

BYV32E-200,127

Solo per riferimento

Numero parte BYV32E-200,127
PNEDA Part # BYV32E-200-127
Descrizione DIODE ARRAY GP 200V 20A TO220AB
Produttore WeEn Semiconductors
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.524
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 23 - nov 28 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BYV32E-200 Risorse

Brand WeEn Semiconductors
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBYV32E-200,127
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Array
Datasheet
BYV32E-200, BYV32E-200 Datasheet (Totale pagine: 11, Dimensioni: 377,92 KB)
PDFBYV32E-200 Datasheet Copertura
BYV32E-200 Datasheet Pagina 2 BYV32E-200 Datasheet Pagina 3 BYV32E-200 Datasheet Pagina 4 BYV32E-200 Datasheet Pagina 5 BYV32E-200 Datasheet Pagina 6 BYV32E-200 Datasheet Pagina 7 BYV32E-200 Datasheet Pagina 8 BYV32E-200 Datasheet Pagina 9 BYV32E-200 Datasheet Pagina 10 BYV32E-200 Datasheet Pagina 11

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BYV32E-200 Specifiche

ProduttoreWeEn Semiconductors
Serie-
Configurazione diodi1 Pair Common Cathode
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)200V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)20A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.15V @ 20A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)25ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr30µA @ 200V
Temperatura di esercizio - Giunzione150°C (Max)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220AB

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Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Series Connection

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

200A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

990mV @ 200A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

6mA @ 100V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

ADD-A-PAK (3)

Pacchetto dispositivo fornitore

ADD-A-PAK®

CDSV6-4448TI-G

Comchip Technology

Produttore

Comchip Technology

Serie

Automotive, AEC-Q101

Configurazione diodi

3 Independent

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

80V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

500mA (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 100mA

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

4ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100nA @ 75V

Temperatura di esercizio - Giunzione

150°C (Max)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-363

QRF1230T30

Powerex Inc.

Produttore

Powerex Inc.

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Anode

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1200V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

149A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

3.5V @ 300A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

250ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 1200V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

MBRTA60020L

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

20V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

300A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

580mV @ 300A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

3mA @ 20V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Three Tower

Pacchetto dispositivo fornitore

Three Tower

PN411211

Powerex Inc.

Produttore

Powerex Inc.

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Anode

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1200V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

1200A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 3000A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

22µs

Corrente - Perdita inversa @ Vr

200mA @ 1200V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 150°C

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