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BYT56M-TAP

BYT56M-TAP

Solo per riferimento

Numero parte BYT56M-TAP
PNEDA Part # BYT56M-TAP
Descrizione DIODE AVALANCHE 1KV 3A SOD64
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 62.364
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 20 - nov 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BYT56M-TAP Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBYT56M-TAP
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
BYT56M-TAP, BYT56M-TAP Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 120,59 KB)
PDFBYT56K-TR Datasheet Copertura
BYT56K-TR Datasheet Pagina 2 BYT56K-TR Datasheet Pagina 3 BYT56K-TR Datasheet Pagina 4

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BYT56M-TAP Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
Tipo di diodoAvalanche
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)1000V
Corrente - Media Rettificata (Io)3A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.4V @ 3A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)100ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr5µA @ 1000V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaSOD-64, Axial
Pacchetto dispositivo fornitoreSOD-64
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 175°C

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Produttore

Micro Commercial Co

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

150V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

900mV @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

200µA @ 150V

Capacità @ Vr, F

100pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AC, SMA

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-214AC (SMA)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

VS-90EPF12L-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

*

Tipo di diodo

-

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

-

Corrente - Media Rettificata (Io)

-

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

1N3957GP-E3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1000V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 1A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

2µs

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1µA @ 1000V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-204AL, DO-41, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-204AL (DO-41)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

CMH01(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

980mV @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

100ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 200V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOD-128

Pacchetto dispositivo fornitore

M-FLAT (2.4x3.8)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 150°C

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

790mV @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

500µA @ 100V

Capacità @ Vr, F

100pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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