BYG21MHE3_A/H
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| Numero parte | BYG21MHE3_A/H |
| PNEDA Part # | BYG21MHE3_A-H |
| Descrizione | DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.632 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 30 - dic 5 (Scegli Spedizione rapida) |
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BYG21MHE3_A/H Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | BYG21MHE3_A/H |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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BYG21MHE3_A/H Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Tipo di diodo | Avalanche |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 1000V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 1.5A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.6V @ 1.5A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 120ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 1000V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | DO-214AC, SMA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
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Produttore Infineon Technologies Serie * Tipo di diodo - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) - Corrente - Media Rettificata (Io) - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If - Velocità - Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr - Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione - |
Produttore Micro Commercial Co Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 50V Corrente - Media Rettificata (Io) 50A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1V @ 50A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 50V Capacità @ Vr, F 100pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SRA Pacchetto dispositivo fornitore SRA Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 800V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 1A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 3µs Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 200V Capacità @ Vr, F 8pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia DO-204AL, DO-41, Axial Pacchetto dispositivo fornitore DO-204AL (DO-41) Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 175°C |
Produttore ON Semiconductor Serie POWERMITE® Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 10V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 415mV @ 2A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 500µA @ 10V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-216AA Pacchetto dispositivo fornitore Powermite Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 125°C |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie TMBS®, SlimSMA™ Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 60V Corrente - Media Rettificata (Io) 3A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 470mV @ 2.5A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 400µA @ 60V Capacità @ Vr, F 540pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-221AC, SMA Flat Leads Pacchetto dispositivo fornitore DO-221AC (SlimSMA) Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 150°C |
