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BYG21M-M3/TR3

BYG21M-M3/TR3

Solo per riferimento

Numero parte BYG21M-M3/TR3
PNEDA Part # BYG21M-M3-TR3
Descrizione DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.506
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 1 - dic 6 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BYG21M-M3/TR3 Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBYG21M-M3/TR3
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
BYG21M-M3/TR3, BYG21M-M3/TR3 Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 95,5 KB)
PDFBYG21MHM3_A/I Datasheet Copertura
BYG21MHM3_A/I Datasheet Pagina 2 BYG21MHM3_A/I Datasheet Pagina 3 BYG21MHM3_A/I Datasheet Pagina 4 BYG21MHM3_A/I Datasheet Pagina 5

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BYG21M-M3/TR3 Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
SerieAutomotive, AEC-Q101
Tipo di diodoAvalanche
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)1000V
Corrente - Media Rettificata (Io)1.5A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.6V @ 1.5A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)120ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr1µA @ 1000V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaDO-214AC, SMA
Pacchetto dispositivo fornitoreDO-214AC (SMA)
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 150°C

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

SBR®

Tipo di diodo

Super Barrier

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

60V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

650mV @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 60V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

POWERDI®123

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerDI™ 123

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

BYW29E-200,127

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Produttore

WeEn Semiconductors

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

8A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.05V @ 8A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

25ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 200V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-2

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AC

Temperatura di esercizio - Giunzione

150°C (Max)

1N3879

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

*

Tipo di diodo

-

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

-

Corrente - Media Rettificata (Io)

-

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

VS-80SQ040

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

40V

Corrente - Media Rettificata (Io)

8A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

530mV @ 8A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

2mA @ 40V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-204AR, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-204AR

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

SDT5A50SA-13

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

50V

Corrente - Media Rettificata (Io)

5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

520mV @ 5A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

300µA @ 50V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AC, SMA

Pacchetto dispositivo fornitore

SMA

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

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