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BYG10MHE3_A/H

BYG10MHE3_A/H

Solo per riferimento

Numero parte BYG10MHE3_A/H
PNEDA Part # BYG10MHE3_A-H
Descrizione DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.086
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 27 - mag 2 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BYG10MHE3_A/H Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBYG10MHE3_A/H
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
BYG10MHE3_A/H, BYG10MHE3_A/H Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 100,2 KB)
PDFBYG10MHE3_A/I Datasheet Copertura
BYG10MHE3_A/I Datasheet Pagina 2 BYG10MHE3_A/I Datasheet Pagina 3 BYG10MHE3_A/I Datasheet Pagina 4 BYG10MHE3_A/I Datasheet Pagina 5

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BYG10MHE3_A/H Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
SerieAutomotive, AEC-Q101
Tipo di diodoAvalanche
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)1000V
Corrente - Media Rettificata (Io)1.5A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.15V @ 1.5A
VelocitàStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)4µs
Corrente - Perdita inversa @ Vr1µA @ 1000V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaDO-214AC, SMA
Pacchetto dispositivo fornitoreDO-214AC (SMA)
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 150°C

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Produttore

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Serie

*

Tipo di diodo

-

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

-

Corrente - Media Rettificata (Io)

-

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

UH1B-M3/61T

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.05V @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

30ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1µA @ 100V

Capacità @ Vr, F

17pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AC, SMA

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-214AC (SMA)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

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Produttore

SMC Diode Solutions

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 200V

Capacità @ Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

A-405

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

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Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

950mV @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 200V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AC, SMA

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-214AC (SMA)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

20ETF02FP

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

20A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 20A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

160ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 200V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Temperatura di esercizio - Giunzione

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