BYC30-1200PQ
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| Numero parte | BYC30-1200PQ |
| PNEDA Part # | BYC30-1200PQ |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220AC |
| Produttore | WeEn Semiconductors |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.520 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 14 - apr 19 (Scegli Spedizione rapida) |
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BYC30-1200PQ Risorse
| Brand | WeEn Semiconductors |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | BYC30-1200PQ |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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BYC30-1200PQ Specifiche
| Produttore | WeEn Semiconductors |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 1200V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 30A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 3.3V @ 30A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 65ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 250µA @ 1200V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-2 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | 175°C (Max) |
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Produttore GeneSiC Semiconductor Serie * Tipo di diodo - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) - Corrente - Media Rettificata (Io) - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If - Velocità - Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr - Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione - |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 70V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 790mV @ 1A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 200µA @ 70V Capacità @ Vr, F 27pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-214AC, SMA Pacchetto dispositivo fornitore SMA Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 200V Corrente - Media Rettificata (Io) 15A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.15V @ 15A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 45ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 100µA @ 200V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-2 Full Pack Pacchetto dispositivo fornitore TO-220F-2L Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 150°C |
Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Tipo di diodo Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 650V Corrente - Media Rettificata (Io) 2.5A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 2.5A Velocità No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 650V Capacità @ Vr, F 274pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-257-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-257 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 250°C |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 100V Corrente - Media Rettificata (Io) 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1V @ 8A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 30ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 100V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AC Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
