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BUK9Y53-100B,115

BUK9Y53-100B,115

Solo per riferimento

Numero parte BUK9Y53-100B,115
PNEDA Part # BUK9Y53-100B-115
Descrizione MOSFET N-CH 100V 23A LFPAK
Produttore Nexperia
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 74.286
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 22 - nov 27 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BUK9Y53-100B Risorse

Brand Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBUK9Y53-100B,115
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
BUK9Y53-100B, BUK9Y53-100B Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 638,63 KB)
PDFBUK9Y53-100B Datasheet Copertura
BUK9Y53-100B Datasheet Pagina 2 BUK9Y53-100B Datasheet Pagina 3 BUK9Y53-100B Datasheet Pagina 4 BUK9Y53-100B Datasheet Pagina 5 BUK9Y53-100B Datasheet Pagina 6 BUK9Y53-100B Datasheet Pagina 7 BUK9Y53-100B Datasheet Pagina 8 BUK9Y53-100B Datasheet Pagina 9 BUK9Y53-100B Datasheet Pagina 10 BUK9Y53-100B Datasheet Pagina 11

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  • BUK9Y53-100B,115 Distributor

BUK9Y53-100B Specifiche

ProduttoreNexperia USA Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C23A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs49mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18nC @ 5V
Vgs (massimo)±15V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2130pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)75W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreLFPAK56, Power-SO8
Pacchetto / CustodiaSC-100, SOT-669

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Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.1A (Tj)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

600mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 10mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

300pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.6W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-243AA (SOT-89)

Pacchetto / Custodia

TO-243AA

STU75N3LLH6-S

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

DeepGATE™, STripFET™ VI

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

75A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.9mOhm @ 37.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1690pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

60W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

I-PAK

Pacchetto / Custodia

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

EPC2010

EPC

Produttore

EPC

Serie

eGaN®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

GaNFET (Gallium Nitride)

Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

12A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 6A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 3mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.5nC @ 5V

Vgs (massimo)

+6V, -4V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

540pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

Die

Pacchetto / Custodia

Die

NTMFS5C410NLT1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

46A (Ta), 302A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

0.9mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

143nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

8862pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.2W (Ta), 139W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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Tecnologia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.4A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 2.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

160mOhm @ 1.4A, 2.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

0.75V @ 3.7µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.6nC @ 2.5V

Vgs (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

180pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

500mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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