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BUK9C2R2-60EJ

BUK9C2R2-60EJ

Solo per riferimento

Numero parte BUK9C2R2-60EJ
PNEDA Part # BUK9C2R2-60EJ
Descrizione MOSFET N-CH 60V D2PAK
Produttore NXP
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.402
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata feb 18 - feb 23 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BUK9C2R2-60EJ Risorse

Brand NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBUK9C2R2-60EJ
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo

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BUK9C2R2-60EJ Specifiche

ProduttoreNXP USA Inc.
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C-
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (massimo)-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK-7
Pacchetto / CustodiaTO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

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AO4452

Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

SDMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

7V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

34nC @ 10V

Vgs (massimo)

±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2200pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.1W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

FDPF12N50FT

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

UniFET™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

11.5A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

700mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1395pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

42W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220F

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

AOT296L

Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9.5A (Ta), 70A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

52nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2785pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.1W (Ta), 107W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

SI3433CDV-T1-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

38mOhm @ 5.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 8V

Vgs (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1300pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.3W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

6-TSOP

Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

56A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

19.5nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1231pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

62W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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