BUK762R6-40E/GFJ
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| Numero parte | BUK762R6-40E/GFJ |
| PNEDA Part # | BUK762R6-40E-GFJ |
| Descrizione | MOSFET N-CH D2PAK |
| Produttore | NXP |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.636 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 27 - mag 2 (Scegli Spedizione rapida) |
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BUK762R6-40E/GFJ Risorse
| Brand | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | BUK762R6-40E/GFJ |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo |
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BUK762R6-40E/GFJ Specifiche
| Produttore | NXP USA Inc. |
| Serie | * |
| Tipo di transistor | - |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | - |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | - |
| Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic | - |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | - |
| Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - |
| Potenza - Max | - |
| Frequenza - Transizione | - |
| Temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / Custodia | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
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Produttore NXP USA Inc. Serie - Tipo di transistor NPN Corrente - Collettore (Ic) (Max) 150mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 5mA, 50mA Corrente - Taglio collettore (Max) 100nA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 6V Potenza - Max 150mW Frequenza - Transizione 100MHz Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SC-75, SOT-416 Pacchetto dispositivo fornitore SC-75 |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di transistor NPN Corrente - Collettore (Ic) (Max) 800mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 45V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 700mV @ 50mA, 500mA Corrente - Taglio collettore (Max) 100nA Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 100mA, 1V Potenza - Max 625mW Frequenza - Transizione 100MHz Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3 |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di transistor NPN Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 45V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 100mA Corrente - Taglio collettore (Max) 15nA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 5V Potenza - Max 500mW Frequenza - Transizione 300MHz Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3 |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di transistor PNP Corrente - Collettore (Ic) (Max) 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 25V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 50mA Corrente - Taglio collettore (Max) 100nA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 50mA, 5V Potenza - Max 625mW Frequenza - Transizione 100MHz Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3 |
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Tipo di transistor PNP Corrente - Collettore (Ic) (Max) 2A Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 1A Corrente - Taglio collettore (Max) 1µA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 500mA, 2V Potenza - Max 900mW Frequenza - Transizione 100MHz Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia SC-71 Pacchetto dispositivo fornitore MSTM |
