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BUK7618-55,118

BUK7618-55,118

Solo per riferimento

Numero parte BUK7618-55,118
PNEDA Part # BUK7618-55-118
Descrizione MOSFET N-CH 55V 57A D2PAK
Produttore Nexperia
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.318
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 3 - nov 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BUK7618-55 Risorse

Brand Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBUK7618-55,118
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
BUK7618-55, BUK7618-55 Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 708,23 KB)
PDFBUK7618-55 Datasheet Copertura
BUK7618-55 Datasheet Pagina 2 BUK7618-55 Datasheet Pagina 3 BUK7618-55 Datasheet Pagina 4 BUK7618-55 Datasheet Pagina 5 BUK7618-55 Datasheet Pagina 6 BUK7618-55 Datasheet Pagina 7 BUK7618-55 Datasheet Pagina 8 BUK7618-55 Datasheet Pagina 9 BUK7618-55 Datasheet Pagina 10 BUK7618-55 Datasheet Pagina 11

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BUK7618-55 Specifiche

ProduttoreNexperia USA Inc.
SerieTrenchMOS™
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C57A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs18mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (massimo)±16V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2000pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)125W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK
Pacchetto / CustodiaTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

55V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

80A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10.7mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 93µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

80nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2075pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

158W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO220-3-1

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

AOT430

Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

75V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

80A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.5mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

114nC @ 10V

Vgs (massimo)

±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4700pF @ 30V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

268W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

IRFS33N15DPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

150V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

33A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

56mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

90nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2020pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.8W (Ta), 170W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPB65R065C7ATMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ P6

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.3A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

600mOhm @ 2.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 200µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

557pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

171W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D²PAK (TO-263AB)

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

500mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.6V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.2nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

350mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto dispositivo fornitore

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