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BU25H06-E3/P

BU25H06-E3/P

Solo per riferimento

Numero parte BU25H06-E3/P
PNEDA Part # BU25H06-E3-P
Descrizione BRIDGE RECT 1P 600V 3.5A BU
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 13.590
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BU25H06-E3/P Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBU25H06-E3/P
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori a ponte
Datasheet
BU25H06-E3/P, BU25H06-E3/P Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 135,94 KB)
PDFBU25H08-M3/A Datasheet Copertura
BU25H08-M3/A Datasheet Pagina 2 BU25H08-M3/A Datasheet Pagina 3 BU25H08-M3/A Datasheet Pagina 4 BU25H08-M3/A Datasheet Pagina 5

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BU25H06-E3/P Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
SerieisoCink+™
Tipo di diodoSingle Phase
TecnologiaStandard
Tensione - Picco inverso (Max)600V
Corrente - Media Rettificata (Io)3.5A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.05V @ 12.5A
Corrente - Perdita inversa @ Vr5µA @ 600V
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / Custodia4-SIP, BU
Pacchetto dispositivo fornitoreisoCINK+™ BU

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Corrente - Media Rettificata (Io)

20A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 20A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 800V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

4-ESIP

Pacchetto dispositivo fornitore

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Comchip Technology

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Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

800V

Corrente - Media Rettificata (Io)

4A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 2A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 800V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

4-SIP, GBU

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Tensione - Picco inverso (Max)

1.2kV

Corrente - Media Rettificata (Io)

100A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.4V @ 100A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

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Module

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Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

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Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

25A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

920mV @ 12.5A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 600V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

4-SIP, TS-6P

Pacchetto dispositivo fornitore

TS-6P

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Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

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Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

400V

Corrente - Media Rettificata (Io)

40A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 20A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 400V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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