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BSS5130T116

BSS5130T116

Solo per riferimento

Numero parte BSS5130T116
PNEDA Part # BSS5130T116
Descrizione BSS5130 IS A SOT-23 PACKAGE TRAN
Produttore Rohm Semiconductor
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Disponibile 8.514
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BSS5130T116 Risorse

Brand Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBSS5130T116
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
BSS5130T116, BSS5130T116 Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 1.483,29 KB)
PDFBSS5130T116 Datasheet Copertura
BSS5130T116 Datasheet Pagina 2 BSS5130T116 Datasheet Pagina 3 BSS5130T116 Datasheet Pagina 4 BSS5130T116 Datasheet Pagina 5 BSS5130T116 Datasheet Pagina 6 BSS5130T116 Datasheet Pagina 7 BSS5130T116 Datasheet Pagina 8 BSS5130T116 Datasheet Pagina 9 BSS5130T116 Datasheet Pagina 10

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BSS5130T116 Specifiche

ProduttoreRohm Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorPNP
Corrente - Collettore (Ic) (Max)1A
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)30V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic380mV @ 25mA, 500mA
Corrente - Taglio collettore (Max)100nA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce270 @ 100mA, 2V
Potenza - Max200mW
Frequenza - Transizione320MHz
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitoreSST3

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Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 10mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 2V

Potenza - Max

150mW

Frequenza - Transizione

400MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-89, SOT-490

Pacchetto dispositivo fornitore

EMT3F (SOT-416FL)

495220TU

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN - Darlington

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

4A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

325V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 5mA, 2A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

1000 @ 3A, 5V

Potenza - Max

40W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-3

PZT2907AT3

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

600mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

10nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

Potenza - Max

1.5W

Frequenza - Transizione

200MHz

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-261-4, TO-261AA

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-223

TTA1943(Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

15A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

230V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

3V @ 800mA, 8A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 1A, 5V

Potenza - Max

150W

Frequenza - Transizione

30MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-3PL

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3P(L)

2N6491G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

15A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

80V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

3.5V @ 5A, 15A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 5A, 4V

Potenza - Max

1.8W

Frequenza - Transizione

5MHz

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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