BSS192PE6327T
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| Numero parte | BSS192PE6327T |
| PNEDA Part # | BSS192PE6327T |
| Descrizione | MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89 |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.748 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 26 - dic 1 (Scegli Spedizione rapida) |
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BSS192PE6327T Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | BSS192PE6327T |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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BSS192PE6327T Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | SIPMOS® |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 250V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 190mA (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 2.8V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12Ohm @ 190mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 130µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.1nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 104pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1W (Ta) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT89 |
| Pacchetto / Custodia | TO-243AA |
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