BSP315PL6327HTSA1
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| Numero parte | BSP315PL6327HTSA1 |
| PNEDA Part # | BSP315PL6327HTSA1 |
| Descrizione | MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223 |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.624 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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BSP315PL6327HTSA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | BSP315PL6327HTSA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
BSP315PL6327HTSA1, BSP315PL6327HTSA1 Datasheet
(Totale pagine: 9, Dimensioni: 83,79 KB)
  
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BSP315PL6327HTSA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | SIPMOS® |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.17A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800mOhm @ 1.17A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 160µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.8nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 160pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.8W (Ta) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT223-4 |
| Pacchetto / Custodia | TO-261-4, TO-261AA |
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