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BSP126,135

BSP126,135

Solo per riferimento

Numero parte BSP126,135
PNEDA Part # BSP126-135
Descrizione MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223
Produttore Nexperia
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.428
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BSP126 Risorse

Brand Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBSP126,135
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
BSP126, BSP126 Datasheet (Totale pagine: 13, Dimensioni: 182,65 KB)
PDFBSP126 Datasheet Copertura
BSP126 Datasheet Pagina 2 BSP126 Datasheet Pagina 3 BSP126 Datasheet Pagina 4 BSP126 Datasheet Pagina 5 BSP126 Datasheet Pagina 6 BSP126 Datasheet Pagina 7 BSP126 Datasheet Pagina 8 BSP126 Datasheet Pagina 9 BSP126 Datasheet Pagina 10 BSP126 Datasheet Pagina 11

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BSP126 Specifiche

ProduttoreNexperia USA Inc.
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)250V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C375mA (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs5Ohm @ 300mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds120pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)1.5W (Ta)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSC-73
Pacchetto / CustodiaTO-261-4, TO-261AA

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Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

14A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

380mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

51nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2297pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

278W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-263 (D²Pak)

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPD25N06S240ATMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

55V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

29A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 26µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

513pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

68W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO252-3

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

SISS26LDN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET® Gen IV

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

23.7A (Ta), 81.2A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.3mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

48nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1980pF @ 30V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

4.8W (Ta), 57W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

30A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

115nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

4W (Ta), 150W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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Serie

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Tipo FET

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Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

17.5A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

75mOhm @ 8.75A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

72nC @ 5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3900pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

55W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

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