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BSM10GD120DN2E3224BOSA1

BSM10GD120DN2E3224BOSA1

Solo per riferimento

Numero parte BSM10GD120DN2E3224BOSA1
PNEDA Part # BSM10GD120DN2E3224BOSA1
Descrizione IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario
1 ---------- $911,9706
50 ---------- $869,2219
100 ---------- $826,4733
200 ---------- $783,7247
400 ---------- $748,1009
500 ---------- $712,4770
Disponibile 3.036
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 28 - dic 3 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BSM10GD120DN2E3224BOSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBSM10GD120DN2E3224BOSA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli

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BSM10GD120DN2E3224BOSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo IGBT-
ConfigurazioneFull Bridge
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)15A
Potenza - Max80W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.2V @ 15V, 10A
Corrente - Taglio collettore (Max)400µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce530pF @ 25V
InputStandard
Termistore NTCNo
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaModule
Pacchetto dispositivo fornitoreModule

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

300A

Potenza - Max

910W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 150A

Corrente - Taglio collettore (Max)

2mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

20.2nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

POWIR® 62 Module

Pacchetto dispositivo fornitore

POWIR® 62

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Three Phase Inverter with Brake

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

20A

Potenza - Max

85W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 10A

Corrente - Taglio collettore (Max)

600µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

0.6nF @ 25V

Input

Three Phase Bridge Rectifier

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

E2

Pacchetto dispositivo fornitore

E2

APTGT200H120G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Full Bridge Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

280A

Potenza - Max

890W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 200A

Corrente - Taglio collettore (Max)

350µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

14nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP6

Pacchetto dispositivo fornitore

SP6

FF300R12KT3EHOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

2 Independent

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

480A

Potenza - Max

1450W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 300A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

21nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

BSM50GP120BOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

*

Tipo IGBT

-

Configurazione

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Potenza - Max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

-

Input

-

Termistore NTC

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

Venduto di recente

WSL2010R0100FEA18

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RES 0.01 OHM 1% 1W 2010

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