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BSM100GD60DLCBOSA1

BSM100GD60DLCBOSA1

Solo per riferimento

Numero parte BSM100GD60DLCBOSA1
PNEDA Part # BSM100GD60DLCBOSA1
Descrizione IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.780
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 6 - apr 11 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BSM100GD60DLCBOSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBSM100GD60DLCBOSA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli

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BSM100GD60DLCBOSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo IGBT-
ConfigurazioneFull Bridge
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)130A
Potenza - Max430W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.45V @ 15V, 100A
Corrente - Taglio collettore (Max)500µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce4.3nF @ 25V
InputStandard
Termistore NTCNo
Temperatura di esercizio-40°C ~ 125°C
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaModule
Pacchetto dispositivo fornitoreModule

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Dual Boost Chopper

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

75A

Potenza - Max

250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 40A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

2.3nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

SP6

Pacchetto dispositivo fornitore

SP6

APTGT400U120D4G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

600A

Potenza - Max

2250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 400A

Corrente - Taglio collettore (Max)

8mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

28nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

D4

Pacchetto dispositivo fornitore

D4

FF800R17KE3NOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

2 Independent

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1700V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Potenza - Max

4450W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 800A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

72nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

FF150R12MS4GBOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

2 Independent

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

225A

Potenza - Max

1250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 150A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

11nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

FF800R17KE3B2NOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

*

Tipo IGBT

-

Configurazione

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Potenza - Max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

-

Input

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Termistore NTC

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Temperatura di esercizio

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