BSC079N03SG
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| Numero parte | BSC079N03SG |
| PNEDA Part # | BSC079N03SG |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 40A TDSON-8 |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.214 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 28 - dic 3 (Scegli Spedizione rapida) |
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BSC079N03SG Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | BSC079N03SG |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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BSC079N03SG Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | OptiMOS™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 14.6A (Ta), 40A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.9mOhm @ 40A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 30µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 5V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2230pF @ 15V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.8W (Ta), 60W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TDSON-8-1 |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerTDFN |
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