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BR25S320FVT-WE2

BR25S320FVT-WE2

Solo per riferimento

Numero parte BR25S320FVT-WE2
PNEDA Part # BR25S320FVT-WE2
Descrizione IC EEPROM 32K SPI 20MHZ 8TSSOP
Produttore Rohm Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 26.922
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 11 - apr 16 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BR25S320FVT-WE2 Risorse

Brand Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBR25S320FVT-WE2
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
BR25S320FVT-WE2, BR25S320FVT-WE2 Datasheet (Totale pagine: 34, Dimensioni: 675,75 KB)
PDFBR25S640FVJ-WE2 Datasheet Copertura
BR25S640FVJ-WE2 Datasheet Pagina 2 BR25S640FVJ-WE2 Datasheet Pagina 3 BR25S640FVJ-WE2 Datasheet Pagina 4 BR25S640FVJ-WE2 Datasheet Pagina 5 BR25S640FVJ-WE2 Datasheet Pagina 6 BR25S640FVJ-WE2 Datasheet Pagina 7 BR25S640FVJ-WE2 Datasheet Pagina 8 BR25S640FVJ-WE2 Datasheet Pagina 9 BR25S640FVJ-WE2 Datasheet Pagina 10 BR25S640FVJ-WE2 Datasheet Pagina 11

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BR25S320FVT-WE2 Specifiche

ProduttoreRohm Semiconductor
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM
Dimensione della memoria32Kb (4K x 8)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock20MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina5ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.7V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-TSSOP-B

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Alliance Memory, Inc.

Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

2Mb (256K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

55ns

Tempo di accesso

55ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-LFSOP (0.465", 11.80mm Width)

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

4Mb (512K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

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Tempo di accesso

10ns

Tensione - Alimentazione

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Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, QDR II

Dimensione della memoria

36Mb (1M x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

250MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-FBGA (15x17)

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Produttore

Winbond Electronics

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR

Dimensione della memoria

512Mb (16M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

5ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

90-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

90-VFBGA (8x13)

93LC76T/SN

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Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

8Kb (1K x 8, 512 x 16)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

3MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 6.0V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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