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BR24T128FVT-WE2

BR24T128FVT-WE2

Solo per riferimento

Numero parte BR24T128FVT-WE2
PNEDA Part # BR24T128FVT-WE2
Descrizione IC EEPROM 128K I2C 8TSSOP
Produttore Rohm Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.976
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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BR24T128FVT-WE2 Risorse

Brand Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBR24T128FVT-WE2
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
BR24T128FVT-WE2, BR24T128FVT-WE2 Datasheet (Totale pagine: 37, Dimensioni: 3.682,85 KB)
PDFBR24T128FVM-WTR Datasheet Copertura
BR24T128FVM-WTR Datasheet Pagina 2 BR24T128FVM-WTR Datasheet Pagina 3 BR24T128FVM-WTR Datasheet Pagina 4 BR24T128FVM-WTR Datasheet Pagina 5 BR24T128FVM-WTR Datasheet Pagina 6 BR24T128FVM-WTR Datasheet Pagina 7 BR24T128FVM-WTR Datasheet Pagina 8 BR24T128FVM-WTR Datasheet Pagina 9 BR24T128FVM-WTR Datasheet Pagina 10 BR24T128FVM-WTR Datasheet Pagina 11

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BR24T128FVT-WE2 Specifiche

ProduttoreRohm Semiconductor
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM
Dimensione della memoria128Kb (16K x 8)
Interfaccia di memoriaI²C
Frequenza di clock400kHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina5ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.6V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-TSSOP-B

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

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Tipo di memoria

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Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O

Frequenza di clock

104MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

800µs

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-UFDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

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Tipo di memoria

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Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

2Gb (256M x 8)

Interfaccia di memoria

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Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 2V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

1Kb (128 x 8)

Interfaccia di memoria

Single Wire

Frequenza di clock

100kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.8V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

AT49BV002ANT-70PI

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

2Mb (256K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

50µs

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

9Mb (256K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ns

Tempo di accesso

10ns

Tensione - Alimentazione

2.4V ~ 2.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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