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BR24T08FJ-WE2

BR24T08FJ-WE2

Solo per riferimento

Numero parte BR24T08FJ-WE2
PNEDA Part # BR24T08FJ-WE2
Descrizione IC EEPROM 8K I2C 400KHZ 8SOPJ
Produttore Rohm Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.214
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 1 - dic 6 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BR24T08FJ-WE2 Risorse

Brand Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBR24T08FJ-WE2
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
BR24T08FJ-WE2, BR24T08FJ-WE2 Datasheet (Totale pagine: 38, Dimensioni: 934,32 KB)
PDFBR24T08FV-WE2 Datasheet Copertura
BR24T08FV-WE2 Datasheet Pagina 2 BR24T08FV-WE2 Datasheet Pagina 3 BR24T08FV-WE2 Datasheet Pagina 4 BR24T08FV-WE2 Datasheet Pagina 5 BR24T08FV-WE2 Datasheet Pagina 6 BR24T08FV-WE2 Datasheet Pagina 7 BR24T08FV-WE2 Datasheet Pagina 8 BR24T08FV-WE2 Datasheet Pagina 9 BR24T08FV-WE2 Datasheet Pagina 10 BR24T08FV-WE2 Datasheet Pagina 11

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BR24T08FJ-WE2 Specifiche

ProduttoreRohm Semiconductor
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM
Dimensione della memoria8Kb (1K x 8)
Interfaccia di memoriaI²C
Frequenza di clock400kHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina5ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.6V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOP-J

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

256Mb (16M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

700ps

Tensione - Alimentazione

2.3V ~ 2.7V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

66-TSOP II

MT48H8M16LFB4-75 IT:K TR

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Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPSDR

Dimensione della memoria

128Mb (8M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

54-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

54-VFBGA (8x8)

DS2430AX-S/T&R

Maxim Integrated

Produttore

Maxim Integrated

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

256b (32 x 8)

Interfaccia di memoria

1-Wire®

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

15µs

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

4-UBGA, FCBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

4-FlipChip (2.39x1.73)

SST38VF6401-90-5I-B3KE-T

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

SST38

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

64Mb (4M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10µs

Tempo di accesso

90ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

48-TFBGA (6x8)

S25FL512SDPMFI013

Cypress Semiconductor

Produttore

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Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

512Mb (64M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O

Frequenza di clock

66MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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16-SOIC

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