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BR24T01NUX-WTR

BR24T01NUX-WTR

Solo per riferimento

Numero parte BR24T01NUX-WTR
PNEDA Part # BR24T01NUX-WTR
Descrizione IC EEPROM 1K I2C VSON008X2030
Produttore Rohm Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 31.080
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 15 - nov 20 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BR24T01NUX-WTR Risorse

Brand Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBR24T01NUX-WTR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
BR24T01NUX-WTR, BR24T01NUX-WTR Datasheet (Totale pagine: 36, Dimensioni: 1.135,41 KB)
PDFBR24T01FJ-WE2 Datasheet Copertura
BR24T01FJ-WE2 Datasheet Pagina 2 BR24T01FJ-WE2 Datasheet Pagina 3 BR24T01FJ-WE2 Datasheet Pagina 4 BR24T01FJ-WE2 Datasheet Pagina 5 BR24T01FJ-WE2 Datasheet Pagina 6 BR24T01FJ-WE2 Datasheet Pagina 7 BR24T01FJ-WE2 Datasheet Pagina 8 BR24T01FJ-WE2 Datasheet Pagina 9 BR24T01FJ-WE2 Datasheet Pagina 10 BR24T01FJ-WE2 Datasheet Pagina 11

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BR24T01NUX-WTR Specifiche

ProduttoreRohm Semiconductor
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM
Dimensione della memoria1Kb (128 x 8)
Interfaccia di memoriaI²C
Frequenza di clock400kHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina5ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.6V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-UFDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitoreVSON008X2030

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Fremont Micro Devices Ltd

Produttore

Fremont Micro Devices Ltd

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

MT29C4G48MAAHBAAKS-5 WT

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH, RAM

Tecnologia

FLASH - NAND, Mobile LPDRAM

Dimensione della memoria

4Gb (256M x 16)(NAND), 2Gb (64M x 32)(LPDRAM)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-25°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

137-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

137-VFBGA (13x10.5)

MT53B512M64D8HR-053 WT ES:B

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR4

Dimensione della memoria

32Gb (512M x 64)

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

1866MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.1V

Temperatura di esercizio

-30°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

24AA128T-I/MNY

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

128Kb (16K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

900ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-WFDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TDFN (2x3)

AT45DB081D-SU SL955-AD

Adesto Technologies

Produttore

Adesto Technologies

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

8Mb (256 Bytes x 4096 pages)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

66MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

4ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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