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BR24T01FJ-WE2

BR24T01FJ-WE2

Solo per riferimento

Numero parte BR24T01FJ-WE2
PNEDA Part # BR24T01FJ-WE2
Descrizione IC EEPROM 1K I2C 400KHZ 8SOPJ
Produttore Rohm Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.022
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 1 - dic 6 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BR24T01FJ-WE2 Risorse

Brand Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBR24T01FJ-WE2
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
BR24T01FJ-WE2, BR24T01FJ-WE2 Datasheet (Totale pagine: 36, Dimensioni: 1.135,41 KB)
PDFBR24T01FJ-WE2 Datasheet Copertura
BR24T01FJ-WE2 Datasheet Pagina 2 BR24T01FJ-WE2 Datasheet Pagina 3 BR24T01FJ-WE2 Datasheet Pagina 4 BR24T01FJ-WE2 Datasheet Pagina 5 BR24T01FJ-WE2 Datasheet Pagina 6 BR24T01FJ-WE2 Datasheet Pagina 7 BR24T01FJ-WE2 Datasheet Pagina 8 BR24T01FJ-WE2 Datasheet Pagina 9 BR24T01FJ-WE2 Datasheet Pagina 10 BR24T01FJ-WE2 Datasheet Pagina 11

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BR24T01FJ-WE2 Specifiche

ProduttoreRohm Semiconductor
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM
Dimensione della memoria1Kb (128 x 8)
Interfaccia di memoriaI²C
Frequenza di clock400kHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina5ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.6V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOP-J

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

48Gb (768M x 64)

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

1600MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.1V

Temperatura di esercizio

-30°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

CY7C1059DV33-12ZSXI

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

8Mb (1M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

12ns

Tempo di accesso

12ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

44-TSOP II

IDT71V432S8PF

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

1Mb (32K x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

8ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.63V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x14)

AT27LV020A-15JI

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EPROM

Tecnologia

EPROM - OTP

Dimensione della memoria

2Mb (256K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

150ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-LCC (J-Lead)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-PLCC (13.97x11.43)

DS1225AB-70+

Maxim Integrated

Produttore

Maxim Integrated

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

NVSRAM

Tecnologia

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Dimensione della memoria

64Kb (8K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

70ns

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

4.75V ~ 5.25V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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