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BLS2731-10,114

BLS2731-10,114

Solo per riferimento

Numero parte BLS2731-10,114
PNEDA Part # BLS2731-10-114
Descrizione RF TRANS NPN 75V 3.1GHZ CDFM2
Produttore NXP
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.880
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata set 24 - set 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BLS2731-10 Risorse

Brand NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBLS2731-10,114
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
BLS2731-10, BLS2731-10 Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 89,85 KB)
PDFBLS2731-10 Datasheet Copertura
BLS2731-10 Datasheet Pagina 2 BLS2731-10 Datasheet Pagina 3 BLS2731-10 Datasheet Pagina 4 BLS2731-10 Datasheet Pagina 5 BLS2731-10 Datasheet Pagina 6 BLS2731-10 Datasheet Pagina 7 BLS2731-10 Datasheet Pagina 8 BLS2731-10 Datasheet Pagina 9 BLS2731-10 Datasheet Pagina 10 BLS2731-10 Datasheet Pagina 11

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BLS2731-10 Specifiche

ProduttoreNXP USA Inc.
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)75V
Frequenza - Transizione3.1GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)-
Guadagno10dB
Potenza - Max145W
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce40 @ 250mA, 5V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)1.5A
Temperatura di esercizio200°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-445C
Pacchetto dispositivo fornitoreCDFM2

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CEL

Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

6V

Frequenza - Transizione

15GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.7dB @ 2GHz

Guadagno

16dB

Potenza - Max

205mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

75 @ 20mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-343F

Pacchetto dispositivo fornitore

-

BFY193PZZZA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

7.5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

2.3dB ~ 2.9dB @ 2GHz

Guadagno

12.5dB ~ 13.5dB

Potenza - Max

580mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 30mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80mA

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

MICRO-X1

Pacchetto dispositivo fornitore

MICRO-X1

BF494_D27Z

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

350mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

67 @ 1mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

1035MP

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

65V

Frequenza - Transizione

1.025GHz ~ 1.15GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

10dB ~ 10.5dB

Potenza - Max

125W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 100mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

2.5A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

55FW-1

Pacchetto dispositivo fornitore

55FW-1

Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

3.3V

Frequenza - Transizione

21GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.2dB @ 2GHz

Guadagno

14dB

Potenza - Max

115mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 2V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

35mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-523

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