BG3123RE6327HTSA1
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| Numero parte | BG3123RE6327HTSA1 |
| PNEDA Part # | BG3123RE6327HTSA1 |
| Descrizione | MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363 |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.070 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 9 - apr 14 (Scegli Spedizione rapida) |
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BG3123RE6327HTSA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | BG3123RE6327HTSA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - RF |
| Datasheet |
BG3123RE6327HTSA1, BG3123RE6327HTSA1 Datasheet
(Totale pagine: 11, Dimensioni: 195,28 KB)
  
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BG3123RE6327HTSA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Tipo di transistor | 2 N-Channel (Dual) |
| Frequenza | 800MHz |
| Guadagno | 25dB |
| Tensione - Test | 5V |
| Corrente nominale (Amp) | 25mA, 20mA |
| Figura di rumore | 1.8dB |
| Corrente - Test | 14mA |
| Potenza - Uscita | - |
| Tensione - Nominale | 8V |
| Pacchetto / Custodia | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT363-6 |
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