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BFU725F/N1,115

BFU725F/N1,115

Solo per riferimento

Numero parte BFU725F/N1,115
PNEDA Part # BFU725F-N1-115
Descrizione RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4SO
Produttore NXP
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 92.274
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 5 - apr 10 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BFU725F/N1 Risorse

Brand NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBFU725F/N1,115
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
BFU725F/N1, BFU725F/N1 Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 136,91 KB)
PDFBFU725F/N1 Datasheet Copertura
BFU725F/N1 Datasheet Pagina 2 BFU725F/N1 Datasheet Pagina 3 BFU725F/N1 Datasheet Pagina 4 BFU725F/N1 Datasheet Pagina 5 BFU725F/N1 Datasheet Pagina 6 BFU725F/N1 Datasheet Pagina 7 BFU725F/N1 Datasheet Pagina 8 BFU725F/N1 Datasheet Pagina 9 BFU725F/N1 Datasheet Pagina 10 BFU725F/N1 Datasheet Pagina 11

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BFU725F/N1 Specifiche

ProduttoreNXP USA Inc.
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)2.8V
Frequenza - Transizione55GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz
Guadagno10dB ~ 24dB
Potenza - Max136mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce160 @ 10mA, 2V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)40mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-343 Reverse Pinning
Pacchetto dispositivo fornitore4-SO

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Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

9GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.1dB @ 1GHz

Guadagno

13dB

Potenza - Max

200mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 20mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-253-4, TO-253AA

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-143

Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

6GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

3.5dB @ 1GHz

Guadagno

10dB

Potenza - Max

1.8W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 50mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

150mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-243AA

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-89

MRF553G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

16V

Frequenza - Transizione

175MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

11dB ~ 13dB

Potenza - Max

3W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 250mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

Power Macro

Pacchetto dispositivo fornitore

Power Macro

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

10V

Frequenza - Transizione

8GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

1W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 50mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-261-4, TO-261AA

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-223

MT4S300U(TE85L,O,F

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

4V

Frequenza - Transizione

26.5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.55dB @ 2GHz

Guadagno

16.9dB

Potenza - Max

250mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 10mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-82A, SOT-343

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