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BFU710F,115

BFU710F,115

Solo per riferimento

Numero parte BFU710F,115
PNEDA Part # BFU710F-115
Descrizione RF TRANS NPN 2.8V 43GHZ 4DFP
Produttore NXP
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 26.034
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 23 - nov 28 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BFU710F Risorse

Brand NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBFU710F,115
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
BFU710F, BFU710F Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 126,39 KB)
PDFBFU710F Datasheet Copertura
BFU710F Datasheet Pagina 2 BFU710F Datasheet Pagina 3 BFU710F Datasheet Pagina 4 BFU710F Datasheet Pagina 5 BFU710F Datasheet Pagina 6 BFU710F Datasheet Pagina 7 BFU710F Datasheet Pagina 8 BFU710F Datasheet Pagina 9 BFU710F Datasheet Pagina 10 BFU710F Datasheet Pagina 11

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BFU710F Specifiche

ProduttoreNXP USA Inc.
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)2.8V
Frequenza - Transizione43GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)0.85dB ~ 1.45dB @ 5.8GHz ~ 12GHz
Guadagno-
Potenza - Max136mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce200 @ 1mA, 2V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)10mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-343F
Pacchetto dispositivo fornitore4-DFP

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Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-343F

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-343F

MS2473

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

65V

Frequenza - Transizione

1.09GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

6dB

Potenza - Max

2300W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

5 @ 1A, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

46A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

M112

Pacchetto dispositivo fornitore

M112

LM3046M/NOPB

Texas Instruments

Produttore

Serie

-

Tipo di transistor

5 NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

3.25dB @ 1kHz

Guadagno

-

Potenza - Max

750mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 1mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

14-SOIC

2SC5751-A

CEL

Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

6V

Frequenza - Transizione

15GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.7dB @ 2GHz

Guadagno

16dB

Potenza - Max

205mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

75 @ 20mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-343F

Pacchetto dispositivo fornitore

-

2SC4915-O,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

30V

Frequenza - Transizione

550MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

2.3dB ~ 5dB @ 100MHz

Guadagno

17dB ~ 23dB

Potenza - Max

100mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 1mA, 6V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

20mA

Temperatura di esercizio

125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-75, SOT-416

Pacchetto dispositivo fornitore

SSM

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