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BFU550XRR

BFU550XRR

Solo per riferimento

Numero parte BFU550XRR
PNEDA Part # BFU550XRR
Descrizione RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R
Produttore NXP
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.636
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 3 - apr 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BFU550XRR Risorse

Brand NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBFU550XRR
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
BFU550XRR, BFU550XRR Datasheet (Totale pagine: 21, Dimensioni: 290,1 KB)
PDFBFU550XRVL Datasheet Copertura
BFU550XRVL Datasheet Pagina 2 BFU550XRVL Datasheet Pagina 3 BFU550XRVL Datasheet Pagina 4 BFU550XRVL Datasheet Pagina 5 BFU550XRVL Datasheet Pagina 6 BFU550XRVL Datasheet Pagina 7 BFU550XRVL Datasheet Pagina 8 BFU550XRVL Datasheet Pagina 9 BFU550XRVL Datasheet Pagina 10 BFU550XRVL Datasheet Pagina 11

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BFU550XRR Specifiche

ProduttoreNXP USA Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q101
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)12V
Frequenza - Transizione11GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)0.7dB @ 900MHz
Guadagno21.5dB
Potenza - Max450mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce60 @ 15mA, 8V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)50mA
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-143R
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-143R

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Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

9GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz

Guadagno

13.5dB

Potenza - Max

200mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 20mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-143R

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-143R

UPA802T-A

CEL

Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

2 NPN (Dual)

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

10V

Frequenza - Transizione

7GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.4dB @ 1GHz

Guadagno

12dB

Potenza - Max

200mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 7mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

65mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-363

BFP520FH6327XTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

3.5V

Frequenza - Transizione

45GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.95dB @ 1.8GHz

Guadagno

22.5dB

Potenza - Max

100mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 20mA, 2V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

4-SMD, Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

4-TSFP

HFA3096B

Renesas Electronics America Inc.

Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

3 NPN + 2 PNP

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V, 15V

Frequenza - Transizione

8GHz, 5.5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

3.5dB @ 1GHz

Guadagno

-

Potenza - Max

150mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 10mA, 2V / 20 @ 10mA, 2V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

65mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

16-SOIC

BFP 740FESD E6327

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

4.7V

Frequenza - Transizione

47GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz

Guadagno

9dB ~ 31dB

Potenza - Max

160mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

160 @ 25mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

45mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

4-SMD, Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

4-TSFP

Venduto di recente

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